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2N4301

更新时间: 2024-02-06 10:49:10
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NJSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 163K
描述
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61

2N4301 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-61
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.46Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-61JESD-30 代码:O-MUPM-X3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):50 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N4301 数据手册

  

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