2N4036

更新时间： 2024-09-28 22:45:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关小信号双极晶体管
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MEDIUM-SPEED SWITCH

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2N4036 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	最大关闭时间（toff）：	700 ns
最大开启时间（吨）：	110 ns	Base Number Matches：	1

2N4036 数据手册

2N4036

MEDIUM-SPEED SWITCH

DESCRIPTION

The 2N4036 is a silicon planar epitaxial PNP tran-

sistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended par-

ticularly as medium speed saturated switch and

general purpose amplifier.

TO-39

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEX

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-base Voltage (I_E= 0)

Value

– 90

– 85

– 65

– 6

Unit

Collector-emitter Voltage (V_BE= 1.5 V)

Collector-emitter Voltage (R_BE≤ 200 Ω)

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

– 1

I_B

Base Current

– 0.5

P_{to t}

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25 °C

at T_{cas e}≤ 25 °C

T_stg, T_j

Storage and Junction Temperature

– 65 to 200

°C

October 1988

1/5

12 3 4 5

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