5秒后页面跳转
2N3979 PDF预览

2N3979

更新时间: 2024-02-10 16:02:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管斩波器
页数 文件大小 规格书
1页 123K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46

2N3979 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-46
包装说明:TO-46, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-46JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:CHOPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

2N3979 数据手册

  

与2N3979相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N398 NJSEMI PNP germanium transistor for high-voltage, audio-frequency applications

获取价格

2N3980 MOTOROLA Silicon Annular PN Unijunction Transister

获取价格

2N3980 NJSEMI SILICON ANNULAR PN UNIJUNCTION TRANSISTOR

获取价格

2N398A NJSEMI PNP germanium transistor for high-voltage, audio-frequency applications

获取价格

2N398B NJSEMI Trans GP BJT PNP 105V 0.2A

获取价格

2N399 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3

获取价格