2N3960

更新时间： 2024-11-25 12:50:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N3960 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	TO-18, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.2	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N3960 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/399

DEVICES

LEVELS

2N3960

2N3960UB

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

Vdc

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_EBO

4.5

Vdc

Emitter-Base Voltage

(1)

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C

Operating & Storage Junction Temperature Range

P_T

0.4

TO-18 – 2N3960

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

Note:

Derate linearly 2.3mW/°C above T_A= +25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10μAdc

V_(BR)CEO

Vdc

UB – 2N3960UB

Collector-Base Cutoff Current

I_CBO

_CB= 20Vdc

μAdc

Emitter-Base Cutoff Current

_EB= 4.5Vdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 10Vdc, V_BE= 0.4Vdc

V_CE= 10Vdc, V_BE= 2.0Vdc

I_CEX1

I_CEX2

μAdc

ηAdc

T4-LDS-0161 Rev. 1 (100514)

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