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2N3966

更新时间: 2024-02-20 12:40:46
品牌 Logo 应用领域
MICRO-ELECTRONICS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, TO-72DH, 3 PIN

2N3966 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9FET 技术:JUNCTION
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)

2N3966 数据手册

  

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