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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3964CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N3964DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3965 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3965 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N3965 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
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| 2N3965 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
|
| 2N3965 | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| 2N3965CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N3965LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
|
| 2N3966 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, |
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