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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3958-SOIC-8 | MICROSS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SOIC-8 |
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| 2N3958-TO-71 | MICROSS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, HERMETI |
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| 2N3958-TO-78 | MICROSS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, HERMETI |
|
| 2N3959 | NJSEMI |
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NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N3959 | MOTOROLA |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
|
| 2N396 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
|
| 2N3960 | SEMICOA |
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Type 2N3960 Geometry 0003 Polarity NPN |
|
| 2N3960 | CENTRAL |
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MU4893 |
|
| 2N3960 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
|
| 2N3960 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
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