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2N3905D27Z

更新时间： 2024-10-31 06:16:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 557K
描述
200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2N3905D27Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：260 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N3905D27Z 数据手册

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2N3905  
TO-92  
C
B
E
PNP General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as general purpose amplifiers  
and switches requiring collector currents to 100 mA.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
40  
40  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N3905  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
Rθ  
°C/W  
JA  
2N3905, Rev A  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3905D74Z FAIRCHILD

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