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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.55 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3775 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3775E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3776 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N3777 | NJSEMI | SI PNP POWER BJT |
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| 2N3777 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3777E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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