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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N377A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N378 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N3780 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3780E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3781 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3781E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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