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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3781 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3781E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3782 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. |
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| 2N3782 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3782E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3788 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 325V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3 |
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