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2N3781

更新时间： 2024-01-18 13:35:52

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	92K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

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2N3781 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N3781 数据手册

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