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2N3790LEADFREE

更新时间： 2024-02-17 14:51:40

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CENTRAL		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	488K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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2N3790LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.05
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N3790LEADFREE 数据手册

2N3789 2N3791

2N3790 2N3792

www.centralsemi.com

SILICON

PNP POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3789, 2N3790,

2N3791, and 2N3792 are silicon PNP power transistors,

manufactured by the epitaxial planar process, designed

for medium speed switching and amplifier applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-3 CASE

2N3789

2N3791

2N3790

2N3792

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

Collector-Base Voltage

SYMBOL

UNITS

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

7.0

Continuous Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

4.0

150

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

-65 to +200

1.17

°C

°C/W

stg



ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

2N3789

2N3790

2N3791

MIN MAX

2N3792

MIN MAX

SYMBOL

TEST CONDITIONS

UNITS

=Rated V

=7.0V

, V =1.5V

1.0

5.0

1.0

5.0

CEV

EBO

CEO EB

, V =1.5V, T =150°C

CEO EB

I =200mA

CEO

CE(SAT)

BE(ON)

I =4.0A, I =400mA (2N3789, 2N3790)

1.0

2.0

1.8

4.0

180

1.0

2.0

1.8

4.0

180

I =5.0A, I =500mA (2N3791, 2N3792)

=2.0V, I =5.0A (2N3789, 2N3790)

=2.0V, I =5.0A (2N3791, 2N3792)

=4.0V, I =10A

=2.0V, I =1.0A (2N3789, 2N3790)

4.0

=2.0V, I =1.0A (2N3791, 2N3792)

=2.0V, I =3.0A (2N3789, 2N3790)

=2.0V, I =3.0A (2N3791, 2N3792)

=10V, I =500mA, f=1.0MHz

MHz

R2 (31-July 2013)

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