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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-276AB |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-276AB | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3791SMD | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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|
| 2N3792 | SEME-LAB | PNP SILICON EPITAXIAL BASE POWER TANSISTORS |
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| 2N3792 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N3792 | BOCA | SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
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| 2N3792 | MICROSEMI | PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3792 | CENTRAL | PNP POWER TRANSISTORS JEDEC TO-3 CASE |
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