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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3795 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| 2N3796 | NJSEMI | MOSFET LOW-POWER AUDIO |
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| 2N3797 | NJSEMI | MOSFET LOW-POWER AUDIO |
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| 2N3798 | SEMICOA | Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN |
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| 2N3798 | NJSEMI | PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N3798 | SSDI | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 P |
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