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2N3795

更新时间: 2024-02-02 01:46:38
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 104K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5

2N3795 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):12
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):0.5 MHz
Base Number Matches:1

2N3795 数据手册

  

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