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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | MO-041BB |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3801 | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| 2N3801DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3802DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3803 | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| 2N3803DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3804 | SSDI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-71, TO-71, 8 P |
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| 2N3804 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, PNP, Silicon, TO-71, TO-71, 6 PIN |
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| 2N3804A | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N3804ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3804DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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