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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3780E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3781 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3781E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3782 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. |
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| 2N3782 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3782E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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