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2N3777E3

更新时间： 2024-02-18 14:57:54

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	96K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

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2N3777E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3777E3 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3778	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5	获取价格
2N3778E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,	获取价格
2N3779	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,	获取价格
2N377A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N378	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3	获取价格
2N3780	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin	获取价格

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