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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3777E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3778 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| 2N3778E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3779 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N377A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N378 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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