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2N3446

更新时间： 2024-11-07 05:56:15

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3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3446 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N3446

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for medium-switching

and amplifier applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

100

Open collector

7.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

115

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

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