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2N2906/A

更新时间： 2024-01-05 12:43:50

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8页	50K
描述
PNP Switching Transistors

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2N2906/A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2906/A 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP switching transistors

2N2906; 2N2906A

FEATURES

PINNING

• High current (max. 600 mA)

• Low voltage (max. 60 V).

DESCRIPTION

emitter

base

APPLICATIONS

collector, connected to case

• High-speed switching

• Driver applications for industrial service.

_{handbook, halfpa}1_ge

DESCRIPTION

PNP switching transistor in a TO-18 metal package.

NPN complements: 2N2222 and 2N2222A.

MAM263

Fig.1 Simplified outline (TO-18) and symbol.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

−60

UNIT

V_CBO

V_CEO

collector-base voltage

open emitter

−

collector-emitter voltage open base

2N2906

−

−40

−60

−600

400

120

−

2N2906A

I_C

collector current (DC)

P_tot

h_FE

f_T

total power dissipation

DC current gain

T_amb≤ 25 °C

I_C= −150 mA; V_CE= −10 V

200

−

transition frequency

turn-off time

I_C= −50 mA; V_CE= −20 V; f = 100 MHz

I_Con= −150 mA; I_Bon= −15 mA; I_Boff= 15 mA

MHz

t_off

300

1997 Jun 02

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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