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2N2904AJ.TX.V

更新时间： 2024-02-01 13:43:52
品牌 Logo 应用领域
雷神 - RAYTHEON 开关放大器
页数 文件大小 规格书
2页 198K
描述
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

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2N2904AJ.TX.V 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.6Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N2904AJ.TX.V 数据手册

 浏览型号2N2904AJ.TX.V的Datasheet PDF文件第1页 
2N2904  
Silicon PNP Transistor  
Data Sheet  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
characteristics specified at TA = 25°C  
Off Characteristics  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CEO IC = 10 mA  
Test Conditions  
Min  
40  
Typ  
Max  
Units  
Volts  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Emitter Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
µA  
nA  
µA  
µA  
µA  
nA  
ICBO1  
ICBO2  
ICBO3  
ICES  
VCB = 60 Volts  
10  
20  
20  
1
VCB = 50 Volts  
VCB = 50 Volts, TA = 150OC  
VCE = 40 Volts  
IEBO1  
IEBO2  
VEB = 5 Volts  
10  
50  
VEB = 3.5 Volts  
Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
On Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
hFE5  
hFE6  
IC = 0.1 mA, VCE = 10 Volts  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 Volts  
IC = 10 mA, VCE = 10 Volts  
IC = 150 mA, VCE = 10 Volts  
IC = 500 mA, VCE = 10 Volts  
IC = 10 mA, VCE = 10 Volts  
TA = -55OC  
20  
25  
35  
40  
20  
15  
175  
120  
DC Current Gain  
VBEsat1  
VBEsat2  
VCEsat1  
VCEsat2  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
1.3  
2.6  
0.4  
1.6  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Volts  
Volts  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Dynamic Characteristics  
Parameter  
Magnitude – Common Emitter, Short  
Circuit Forward Current Transfer Ratio  
Small Signal Short Circuit Forward  
Current Transfer Ratio  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
VCE = 20 Volts, IC = 50 mA,  
|hFE|  
2.0  
f = 100 MHz  
CE = 10 Volts, IC = 1 mA,  
f = 1 kHz  
V
hFE  
25  
V
CB = 10 Volts, IC = 0 mA,  
pF  
pF  
Open Circuit Output Capacitance  
COBO  
CIBO  
8
100 kHZ < f < 1 MHz  
VEB = 2.0 Volts, IE = 0 mA,  
100 kHZ < f < 1 MHz  
Open Circuit Input Capacitance  
30  
Switching Characteristics  
Saturated Turn-On Time  
Saturated Turn-Off Time  
ton  
ns  
ns  
45  
300  
toff  
Semicoa Semiconductors, Inc.  
Copyright2002  
Rev. H  
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541  
Page 2 of 2  
www.SEMICOA.com  
12

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