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2N2823

更新时间： 2024-01-20 20:38:14

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其他 - ETC		晶体晶体管
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2页	19K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| STR-5/16

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2N2823 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-63
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N2823 数据手册

2N2894

PNP SILICON

TRANSISTOR

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

FEATURES

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

• SILICON PNP TRANSISTOR

• HIGH SPEED, LOW SATURATION SWITCH

APPLICATIONS:

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

GENERAL PURPOSE SWITCHING

APPLICATIONS

2.54 (0.100)

Nom.

TO18

Underside View

PIN1 – EMITER

PIN 2 – BASE

PIN 3 – COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

12V

CBO

CEO

EBO

200mA

Total Device Dissipation @ T =25°C

360mW

2.06mW / °C

12W

Derate above 25°C

Total Device Dissipation @ T =25°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

6.85mW / °C

–65 to +200°C

, T

STG

Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 4/99

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