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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2829 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 15V 0.04A 4-Pin TO-72 |
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| 2N283 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10MA I(C) | CAN |
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| 2N2832 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 15V 0.04A Box |
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| 2N2832A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.04A Box |
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| 2N2833 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.04A Box |
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| 2N2834 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.04A Box |
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| 2N2834B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.04A Box |
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| 2N2837 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18 |
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| 2N2837 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N2837LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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