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2N2329S

更新时间： 2024-11-26 22:45:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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2N2329S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	TO-5, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.24	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	1 V	最大维持电流：	2 mA
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	220 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.3454 A
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR

2N2329S 数据手册

TECHNICAL DATA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 276

Devices

Qualified

Level

2N2323

2N2323S

2N2323A

2N2324

2N2324S

2N2324A

2N2326

2N2326S

2N2326A

2N2328

2N2328S

2N2328A

JAN

JANTX

JANTXV

2N2329

2N2329S

2N2323AS 2N2324AS 2N2326AS 2N2328AS

MAXIMUM RATINGS

2N2323,S/ 2N2324,S/ 2N2326,S/ 2N2328,S/

2N2323A,S 2N2324A,S 2N2326A,S 2N2328A,S

Ratings

Reverse Voltage

Sym

2N2329,S Unit

V_RM

100

200

300

400

500

Vdc

Vpk

Adc

Vpk

⁰C

Working Peak Reverse Voltage V_RM

150

300

400

Forward Blocking Voltage

V_FBXM

I_O

50^(3/4)

100^(3/4)

200^(3/4)

0.22

300^(3/4)

400⁽³⁾

Average Forward Current ⁽¹⁾

Forward Current Surge Peak⁽²⁾I_FSM

Cathode-Gate Current

Operating Temperature

Storage Junction Temp

V_KGM

T_op

T_stg

-65 to +125

-65 to +150

⁰C

1) This average forward current is for an ambient temperature of 80⁰C and 180 electrical degrees of

conduction.

2) Surge current is non-recurrent. The rate of rise of peak surge current shall not exceed 40 A during

the first 5 ms after switching from the ‘off’ (blocking) to the ‘on’ (conducting) state. This is measured

from the point where the thyristor voltage has decayed to 90% of its initial blocking value.

3) Gate connected to cathode through 1,000 ohm resistor.

TO-5

4) Gate connected to cathode through 2,000 ohm resistor.

*See appendix A

for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

SUBGROUP 2 TESTING

Reverse Blocking Current

R₂= 1 km

2N2323 thru 2N2329

2N2323S thru 2N2329S

2N2323A thru 2N2328A

2N2323AS thru 2N2328AS

2N2323, S, A, AS

2N2324, S, A, AS

2N2326, S, A, AS

2N2328, S, A, AS

2N2329, S,

R₂= 2 km

mAdc

I_RBX1

V_R= 50 Vdc

V_R= 100 Vdc

V_R= 200 Vdc

V_R= 300 Vdc

V_R= 400 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2329SE3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5,
2N2330	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5
2N2331	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-18
2N2332	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2334	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2335	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2336	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2337	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N2338	ETC	获取价格	GERMANIUM PNP TRANSISTORS

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