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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2337 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2338 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 2N2339 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 2N2345 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2.2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2346 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2348 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2348 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-3 |
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| 2N234A | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 15V 6-Pin Case U |
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| 2N235 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) |
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| 2N2350 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-46 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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