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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2333 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2334 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2335 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2336 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2337 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2338 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 2N2339 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 2N2345 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2.2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2346 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2348 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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