5秒后页面跳转
2N2280 PDF预览

2N2280

更新时间: 2024-02-04 20:00:27
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管斩波器
页数 文件大小 规格书
1页 123K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18

2N2280 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:CHOPPER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):16 MHzBase Number Matches:1

2N2280 数据手册

  

与2N2280相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N2281 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18

获取价格

2N2282 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-37

获取价格

2N2283 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-37

获取价格

2N2284 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-37

获取价格

2N2288 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

获取价格

2N2289 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

获取价格