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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.46 |
| 基于收集器的最大容量： | 45 pF | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2303LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N2304 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
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| 2N2305 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
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| 2N2308 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| 2N2309 | CENTRAL | SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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| 2N2309 | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Sign |
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