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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-114 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 250 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2126 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2130 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2131 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2132 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2133 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2137 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2137A | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3 |
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| 2N2137A | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2138 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N2138A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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