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2MBI450UE-120

更新时间： 2024-09-12 23:19:39

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2MBI450UE-120 数据手册

Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd

IGBT Development Dept. Section M12

U-series 2MBI450UE-120 (Target specification)

1. Outline Drawing ( Unit : mm )

2. Equivalent circuit

Y.Kobayashi

S.Miyashita

Jun 19 ’02

T.Miyasaka

MT5F12399

REVISIONS

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2MBI450UN-120V	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, M254,
2MBI450VE-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 1200V / 450A / 2 in one package
2MBI450VH-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 1200V / 450A / 2 in one package
2MBI450VH-120F-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
2MBI450VJ-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI450VN-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI450VN-120S-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1) M254
2MBI450VN-170-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 1700V / 450A / 2 in one package
2MBI450VX-120-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
2MBI450VX-170-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor