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2SK3388

更新时间： 2024-02-25 02:45:26
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3388 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-97
包装说明：SC-97, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：487 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3388 数据手册

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2SK3388  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3388  
Switching Regulator, DC-DC Converter Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 82 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 20 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (V = 250 V)  
Low leakage current: I  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 1.5 to 3.5 V (V = 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
250  
250  
±20  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
DC  
I
20  
D
(Note 1)  
Pulse  
Drain current  
A
I
60  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
(Note 1)  
SC-97  
2-9F1B  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
125  
487  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
TOSHIBA  
E
mJ  
(Note 2)  
Weight: 0.74 g (typ.)  
Circuit Configuration  
Notice:  
Avalanche current  
I
20  
12.5  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Please use the S1 pin for gate  
input signal return. Make  
sure that the main current  
flows into S2 pin.  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.00  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C/W  
th (ch-c)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature  
is below 150°C.  
4
Note 2: V = 50 V, T = 25°C (initial), L = 2.06 mH, I = 20 A,  
DD ch AR  
R
= 25 W  
G
1
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel  
temperature  
2
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
3
1
2002-02-06  
123456

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