2SK2596

更新时间： 2024-01-10 20:21:45

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瑞萨 - RENESAS		放大器功率放大器
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描述
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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2SK2596 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	17 V	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2596 数据手册

2SK2596

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Test Conditions

V_DS= 12 V, V_GS= 0

Item

Symbol

I_DSS

I_GSS

Min.

—

Typ

—

Max.

Unit

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

Gate to source cutoff voltage

Input capacitance

—

±5.0

1.1

—

V_GS= ±10 V, V_DS= 0

I_D= 2 mA, V_DS= 12 V

V_GS(off)

Ciss

0.4

—

V_GS= 5 V, V_DS= 0, f = 1 MHz

V_DS= 12 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Output capacitance

Coss

Pout

—

10.5

31.46

—

Output Power

30.2

—

dBm V_DS= 12 V, f = 836.5 MHz

Pin = 18 dBm

Drain Efficiency

ηD

—

V_DS= 12 V, Pout = 30.2 dBm

f = 836.5 MHz, Pin = 18 dBm

Main Characteristics

Maximum Channel Power

Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

Pulse test

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

6 V

5 V

4 V

3 V

V_GS= 2 V

8 10

100

150

200

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Case Temperature Tc (°C)

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

Typical Transfer Characteristics

1.0

0.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

Tc = -25°C

25°C

Tc = -25°C

25°C

0.2

0.1

75°C

0.05

V_DS= 12 V

Pulse Test

0.02

0.01

V_DS= 12 V

Pulse Test

0.05

0.01 0.02

0.1 0.2

0.5

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.3.00, Feb.14.2005, page 2 of 4

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