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2SD669B(TO-92NL)

更新时间： 2024-09-24 14:30:07

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Transistor

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2SD669B(TO-92NL) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SD669B(TO-92NL) 数据手册

UTC 2SD669/A

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BIPOLAR POWER GENERAL

PURPOSE TRANSISTOR

APPLICATIONS

* Low frequency power amplifier complementary pair with

UTC 2SB649/A

TO-92NL

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-base voltage

SYMBOL

VCBO

RATING

180

UNIT

Collector-emitter voltage

VCEO

2SD669

2SD669A

120

160

Emitter-base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Collector power dissipation (T_C=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

VEBO

lc_(peak)

1.5

°C

150

-55 ~ +150

TSTG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS _{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

TEST CONDITIONS

I_C=1mA, I_E=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector to bse breakdown voltage

Collector to emitter breakdown

180

I_C=10mA, R_BE=∞

voltage

2SD669

120

160

2SD669A

Emitter to base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)EBO

ICBO

I_E=1mA, I_C=0

VCB=160V, IE=0

µA

hFE1

hFE2

VCE(sat)

VBE

Cob

VCE=5V, Ic=150mA (note)

VCE=5V, Ic=500mA (note)

Ic=600mA, IB=50mA (note)

VCE=5V, Ic=150mA (note)

VCE=5V,Ic=150mA (note)

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

320

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

1.5

MHz

140

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R211-011,B

12 3 4 5

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