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2SD1646

更新时间: 2024-02-02 04:26:54
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
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1页 52K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

2SD1646 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1646 数据手册

  

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