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2SB647C

更新时间： 2024-02-22 19:40:31

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3页	91K
描述
Transistor

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2SB647C 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SB647C 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92MOD

2SB647/2SB647A TRANSISTOR (PNP)

FEATURE

1. EMITTER

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

0.9 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

120 V

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V_(BR)CBO

-120

Ic= -10µA , I_E=0

Collector-emitter breakdown voltage 2SB647

-80

-100

V_(BR)CEO

I_C=-1mA , I_B=0

2SB647A

Emitter-base breakdown voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

I_E= -10µA, I_C=0

Collector cut-off current

V_CB= -100 V, I_E=0

-10

µA

2SB647

2SB647A

320

200

h_FE(1)*

V_CE=-5 V, I_C= -150mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=-5 V, I_C= -500mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEsat

-1

_CE=-5V, I_C= -150mA

140

MHz

f_T

V_CE=-10V, I_E=0

f=1 MHz

Output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

2SB647

60-120

100-200

160-320

Range

2SB647A

12 3

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与2SB647C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB647-C	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SB647C(TO-92MOD)	JCST	Transistor	获取价格
2SB647-C-AP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO	获取价格
2SB647CTZ	RENESAS	1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN	获取价格
2SB647CTZ	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD,	获取价格
2SB647CTZ-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格