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2SB1048

更新时间: 2024-01-10 05:53:20
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 34K
描述
Silicon PNP Epitaxial, Darlington

2SB1048 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:UPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.49
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB1048 数据手册

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2SB1048  
Saturation Voltage vs. Collector Current  
–10  
–3  
VBE (sat)  
VCE (sat)  
–1.0  
Ta = 25°C  
IC/IB = 500  
–0.3  
–0.1  
–10  
–30  
–100  
–300  
–1,000  
Collector Current IC (mA)  
Transient Thermal Resistance  
300  
100  
30  
10  
3
Ta = 25°C  
Mounted on the Alumina Ceramic Board (12.5 × 30 × 0.7 mm)  
1.0  
0.3  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
100  
1,000  
Time t (s)  
4

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