2SB1048

更新时间： 2024-02-23 22:57:55

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6页	34K
描述
Silicon PNP Epitaxial, Darlington

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2SB1048 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	UPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.49
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1048 数据手册

2SB1048

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–60

V_CEO

–60

V_EBO

–7

I_C

–1

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

i_C(peak)

P_C*²

–2

°C

150

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 × 30 × 0.7 mm)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V_(BR)CBO

–60

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

Collector to emitter breakdown V_(BR)CEO

voltage

–60

—

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

I_CBO

—

–10

µA

V_CB= –60 V, I_E= 0

I_EBO

—

–10

V_EB= –7 V, I_E= 0

h_FE

2000

—

100000

–2.0

V_CE= –3 V, I_C= –500 mA*¹

I_C= –500 mA, I_B= –1 mA*¹

Collector to emitter saturation

voltage

V_CE(sat)

Base to emitter saturation

voltage

V_BE(sat)

—

–2.0

I_C= –500 mA, I_B= –1 mA*¹

Notes: 1. Pulse test

2. Marking is “BT”

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