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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | UPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.49 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1048BTTR-E | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
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| 2SB1048BTUL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SB1050 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
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| 2SB1050P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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| 2SB1050Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
|
| 2SB1050R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
|
| 2SB1051K | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SB1051KP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1051KQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1051KR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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