2SB1048

更新时间： 2024-01-06 06:59:46

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日立 - HITACHI		/
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6页	34K
描述
Silicon PNP Epitaxial, Darlington

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2SB1048 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	UPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.49
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1048 数据手册

2SB1048

Area of Safe Operation

Maximum Collector Dissipation Curve

–10

1.2

0.8

0.4

i_{C (peak)}

–3

–1.0

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

1 Shot Pulse

–0.03

–0.01

–3

–10

–30

–100

–300

100

150

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Typical Output Characteristics

–1.0

100,000

Ta = 25°C

Ta = 75°C

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

30,000

10,000

V_CE= –3 V

Pulse

–25

3,000

1,000

300

100

I_B= 0 A

–30

–100

–300

–1,000 –3,000

–2

–4

–6

–8

–10

Collector Current I_C(mA)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

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