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2SA673

更新时间: 2024-11-07 06:24:35
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
Silicon PNP Epitaxial

2SA673 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92(1), 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.66
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA673 数据手册

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2SA673, 2SA673A  
Silicon PNP Epitaxial  
REJ03G0626-0200  
(Previous ADE-208-125)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency amplifier  
Complementary pair with 2SC1213 and 2SC1213A  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A  
(Package name: TO-92 (1))  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
3
2
1
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SA673  
–35  
2SA673A  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
–50  
–50  
–35  
V
–4  
–4  
V
–500  
–500  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
400  
Tj  
150  
150  
Tstg  
–55 to +150  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 4  

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