2SA636

更新时间： 2024-01-31 19:07:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	150K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA636 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA636 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA636 2SA636A

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

-0.5

-0.8

MAX

-2.0

-1

UNIT

Collector-emitter saturation voltage I_C=-1.5A ;I_B=-0.15A

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-1.5A ;I_B=-0.15A

V_CB=-45V; I_E=0

μA

I_EBO

V_EB=-3V; I_C=0

-1

h_FE-1

h_FE-2

C_OB

I_C=-20mA ; V_CE=-5V

I_C=-0.5A ; V_CE=-5V

I_E=0; V_CB=-10V;f=1MHz

I_C=-0.1A ; V_CB=-5V

DC current gain

250

Output capacitance

Transition frequency

f_T

MHz

h_FE-2classifications

40-60

50-100

80-160

120-250

123

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