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2SA637

更新时间: 2024-01-12 05:49:06
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 79K
描述
High Voltage Transistors

2SA637 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2SA637 数据手册

  

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