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2SA639

更新时间: 2024-01-13 02:33:21
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 55K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SA639 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:0.9 V
Base Number Matches:1

2SA639 数据手册

  

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