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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 10 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA640F | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA640U | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA641 | ETC | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SA642 | ETC | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SA643 | ETC | Transistors LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SA648 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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