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2SA656A

更新时间: 2024-01-28 09:05:47
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页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 110V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3

2SA656A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:110 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

2SA656A 数据手册

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