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2SA670

更新时间： 2024-02-08 20:13:22

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA670 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SA670 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA670

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Inverters;converters

·Power amplification

·Switching regulator ,driver

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-50

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-50

Open collector

-5

-3

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

12 3

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