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2N2906

更新时间： 2024-02-21 10:53:58

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COMSET		晶体放大器晶体管开关
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3页	151K
描述
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS

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2N2906 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2906 数据手册

PNP 2N2906 – 2N2906A

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS

The 2N2906 and 2N2906A are PNP transistors mounted in TO-18 metal package.

They are intended for high speed switching and general purpose applications.

NPN complements are 2N2221 and 2N2221A .

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Value

Symbol

Ratings

Unit

2N2906

2N2906A

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage (I_B=0)

Collector-Base Voltage (I_E=0)

Emitter-Base Voltage (I_C=0)

Collector Current

-40

-60

-5

-600

-800

-200

0.4

I_CM

Peak Collector Current

Peak Base Current

I_BM

T_amb= 25°

T_case= 25°

P_D

Total Power Dissipation

1.2

T_J

Junction Temperature

200

°C

T_Stg

T_amb

Storage Temperature range

Operating Ambient Temperature

-65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-a

R_thJ-c

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

Thermal Resistance, Junction to case

438

146

°C/W

12 3

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