28M0DS

更新时间： 2024-11-15 22:11:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		整流二极管
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

28M0DS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	R-XUUC-N12	针数：	1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.89
配置：	COMPLEX	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N12
JESD-609代码：	e0	元件数量：	16
端子数量：	12	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.02 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

28M0DS 数据手册

28M0

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

DIE SPECIFICATION

60V 300mA

MONOLITHIC DIODE ARRAY

FEATURES:

TWO EIGHT DIODE CORE DRIVER

.061"

trr < 20 ns

RUGGED AIR-ISOLATED CONSTRUCTION

LOW REVERSE LEAKAGE CURRENT

Absolute Maximum Ratings:

.054"

Symbol

Parameter

Limit

Unit

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

Continuous Forward Current

*1 Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

300

500

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

mAdc

IFSM

Top

Tstg

NOTE 1: Each Diode

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

Electrical Characteristics (Per Diode) @ 25°C unless otherwise specified

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

BV1

Vf1

Vf2

IR1

Breakdown Voltage

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time IF = 500mAdc

IR = 10uAdc

IF = 100mAdc *1

IF = 500mAdc *1

VR = 40 Vdc

Vdc

1.5 Vdc

0.1 uAdc

8.0 pF

40 ns

VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz

tfr

trr

Reverse Recovery Time IF = IR = 200mAdc, irr = 20 mAdc, RL = 100 ohms

20 ns

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Packaging Options:

Processing Options:

W: Wafer (100% probed) U: Wafer (sample probed)

Standard: Capable of JANTXV application (No Suffix)

Suffix C: Commercial

D: Chip (Waffle Pack)

B: Chip (Vial)

V: Chip (Waffle Pack, 100% visually inspected) X: Other

Suffix S: Capable of S-Level equivalent applications

ORDERING INFORMATION

Metallization Options:

PART #: 28M0_ _- _

First Suffix Letter: Packaging Option

Second Suffix Letter: Processing Option

Dash #: Metallization Option

Standard: Al Top

/ Au Backside (No Dash #)

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other information at any time without prior

notice.

MSC1025.PDF Rev - 12/3/98

中文翻译

下载PDF

与28M0DS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
28M0U	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0UC	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0US	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0V	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0VC	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0VS	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0W	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0WC	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0WS	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0X	MICROSEMI	获取价格	60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY

与28M0DS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

15
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

8
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28M0DS

28M0DS 技术参数

28M0DS 数据手册

与28M0DS相关器件

与28M0DS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28M0DS

28M0DS 技术参数

28M0DS 数据手册

与28M0DS相关器件

与28M0DS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？